Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB против Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB

Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB

Средняя оценка

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB

Причины выбрать
Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

59 63

Около 6% меньшая задержка

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Причины выбрать
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

3,139.2 1,557.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 5300

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

59 63
Скорость чтения, Гб/сек

3,407.9 4,027.7
Скорость записи, Гб/сек

1,557.6 3,139.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 6400

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

479 739

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB

Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB

Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

Kingston KVR800D2E5-2G 2GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

модули RAM