RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
58
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
2,001.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,796.5
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,001.3
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
768
2488
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link