RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Сравнить
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Средняя оценка
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
43
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2848
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link