RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сравнить
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB против Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
13.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2267
2016
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link