RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston 9965684-013.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
69
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
69
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1992
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link