RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
69
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
69
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
1992
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link