RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
35
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
35
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
15.0
Скорость записи, Гб/сек
16.4
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3530
2672
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link