G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.3

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 52

Около -126% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.1 1,479.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 23
Скорость чтения, Гб/сек

4,226.4 16.3
Скорость записи, Гб/сек

1,479.2 11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

590 2867

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM