RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
52
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
1949
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link