RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
35
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
10.5
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
1998
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link