RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
35
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
9.8
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
2126
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link