RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,935.8
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около -96% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
23
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
3498
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link