RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3731
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link