RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
77
Около -175% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3480
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link