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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3480
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
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