RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
23.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
23.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
4276
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link