RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2339
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link