RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 29
    Около 10% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.2 left arrow 12.2
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.2 left arrow 12.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 9.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2070 left arrow 2443

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
модули RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
модули RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
модули RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
модули RAM