RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2660
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link