RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Kingston 9905678-173.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
4.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
10.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
4.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
1672
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link