G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Средняя оценка

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 64

Около 56% меньшая задержка

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.5 12.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.3 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 64
Скорость чтения, Гб/сек

12.4 17.5
Скорость записи, Гб/сек

7.5 9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2014 2205

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

модули RAM