RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB против G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
36
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
36
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
10.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2618
2964
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link