RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
40
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
9.1
Скорость записи, Гб/сек
10.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2618
2031
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link