RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около -3% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
10.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2618
2155
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link