RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
30
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.7
Скорость записи, Гб/сек
11.1
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2581
1832
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link