G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 33

Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 16.4

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

11.3 10.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

31 33
Скорость чтения, Гб/сек

16.8 16.4
Скорость записи, Гб/сек

10.8 11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2904 2919

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N

модули RAM