RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
44
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.4
8.5
Скорость записи, Гб/сек
11.0
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2729
1660
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link