RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.2
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
4.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
11.2
Скорость записи, Гб/сек
4.3
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1157
2026
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FK 2GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link