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A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
総合得点
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
31
周辺 3% 低遅延
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
11.2
8.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
4.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
31
読み出し速度、GB/s
8.8
11.2
書き込み速度、GB/秒
4.3
7.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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