RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.1
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2983
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link