RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3593
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link