RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
45
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3859
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link