RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
3111
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link