RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2925
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link