RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2925
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link