G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Средняя оценка

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 77

Около 73% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 6.9

Среднее значение в тестах

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 77
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 13.6
Скорость записи, Гб/сек

12.2 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3130 1549

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

модули RAM

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00G 4GB

Kingston 9905403-038.A00G 4GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

модули RAM