RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сравнить
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB против Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
16.4
Скорость записи, Гб/сек
17.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4064
2893
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link