RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
13.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3679
3273
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link