RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
15.7
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3867
2256
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link