G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 32

Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.7 6.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 32
Скорость чтения, Гб/сек

17.8 9.2
Скорость записи, Гб/сек

15.7 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3867 2017

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kingston KHX2666C13/8GX 8GB

Kingston KHX2666C13/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

Kingston KHX2666C16/16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Kingston 9905678-138.A00G 8GB

Kingston 9905678-138.A00G 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Kingston 9905624-009.A00G 8GB

Kingston 9905624-009.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM