RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
38
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
13.2
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3029
2283
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link