RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
11.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2901
2427
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link