RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2179
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link