RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2179
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link