RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2974
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link