RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
71
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
71
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
1757
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link