RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сравнить
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,475.5
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
56
Около -115% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
8800
Около 2.18 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,878.3
23.7
Скорость записи, Гб/сек
2,475.5
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8800
19200
Other
Описание
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
598
4124
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Сравнения RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link