RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
71
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
1757
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link