RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2660
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link