RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
50
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2660
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link