RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
50
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2660
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link