RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3260
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link